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硅探测器
产品简介:

1100-Si硅探测器是一种室温型探测器,内装进口紫外增强型探测芯片,响应波段190-1100nm,覆盖紫外至可见光范围;可实现精准定量光电转换,具备动态范围宽、增益稳定固定的特点,适配各类光电研发应用场景。

产品型号:1100-Si硅探测器

更新时间:2026-04-02

厂商性质:生产厂家

访 问 量 :70

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产品介绍

产品概述:

1100-Si硅探测器是一种室温型探测器,内装进口紫外增强型探测芯片,响应波段190-1100nm,覆盖紫外至可见光范围;可实现精准定量光电转换,具备动态范围宽、增益稳定固定的特点,适配各类光电研发应用场景。

该探测器可搭配本公司全系列光谱仪使用,也可兼容市面常规斩波器、锁相放大器;既能检测对应波段材料的透射、反射、吸收、密度等光谱特性,同时完成辐射源的光谱分析。

硅探测器










使用建议:

电流输出型设计,接入示波器、常规锁相放大器等电压输入型设备:需搭配 I‑V 跨导前置放大器,完成电流转电压;

若设备支持直接接入电流信号:可直连使用,仍建议加装前置放大器,提升探测灵敏度;

搭配双通道集成放大款数据采集系统使用:机身自带信号放大,无需额外选配前置放大器。

硅探测器










技术规格:

型号名称

1100-Si 硅探测器

有效接收面积(mm²)

Φ11.3100

光谱响应范围(nm

190-1100

峰值波长(nm),典型值(λp

960

峰值波长响应度(A/W

0.5@960nm

典型波长的响应度(A/W

0.12@200nm

响应时间(μs

3

工作温度(

-10~+60

 储存温度(

-20~+70

 分流电阻RSHMΩ)

200

等效噪声功率NEPW/Hz

1.8*10-14

最大操作电流(mA@0V bias

80

结电容(pf@0V bias

1300

信号输出模式

电流

输出信号极性

正(P

信号输入接口

BNC











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