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产品概述： TE-IGA 制冷型铟镓砷探测器（InGaAs）采用高性能 InGaAs 芯片与精密 TEC 温控技术，覆盖 1700 nm 及 2600 nm 短波红外波段，制冷控温稳 定，低噪声、高灵敏度，适用于高精度红外光谱、激光探测与红外成像系 统等应用中。
1700TE-IGA 短波型铟镓砷探测器：内装进口 InGaAs 元件，具有 低噪声、低结电容和低暗电流等特性； 2600TE-IGA 长波型铟镓砷探测器：内装进口大面积 InGaAs 元件， 具有低噪声、高灵敏度、高速响应和高重现性等特性，性价比高。
图 1 1700TE-IGA 铟镓砷探测器
使用建议： 一、信号输出与前置放大
TE-IGA 制冷型铟镓砷系列探测器为电流输出模式的光电探测器。
当接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议 采用 I-V 跨导放大器作为前级放大，将电流信号转换为电压信号。
对于可输入电流信号的信号处理器，虽可直接接入，但仍建议增加 前置放大器，以提高探测灵敏度。 二、温控要求
TE-IGA 制冷型铟镓砷探测器在制冷模式下工作时，需额外配置温 控器进行降温控制，以保障探测器性能与稳定性。
技术规格：
| 型号/参数 | 1700TE-IGA | 2600TE-IGA |
| 受光面（mm） | φ3.0 | φ3.0 |
| 波长范围(nm) | 900-1700 | 900-2600 |
| 最大灵敏度波长（典型值）(μm) | 1.55 | 2.3 |
| 感光灵敏度（典型值）（A/W） | 1.1 | 1.3 |
| 暗电流（最大值）（nA） | 0.35 | 60000 |
| 截止频率（典型值）（MHz） | 7 | 1 |
| 结电容（典型值）（pF） | 450 | 3200 |
| 噪声等效功率（典型值）（W/Hz1/2） | 3.2×10-15 | 6×10-13 |
| 测量条件 | 典型值 Tc = -20°C，除非另有说明， 感光灵敏度：λ = λp，暗电流：VR= 1 V，截止频率：VR = 1 V，RL = 50 Ω，结电容：VR = 1 V，f = 1 MHz | 典型值 Tc = -20°C，除非另有说明， 感光灵敏度：λ = λp，暗电流：VR= 0.5 V，截止频率：VR = 0 V，RL = 50 Ω，结电容：VR = 0 V，f = 1 MHz |
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