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| 品牌 | 泊勋 |
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X射线激发光谱测试系统
——基于 EM9001 稳态/瞬态荧光光谱系统构建
产品概述
X 射线激发光谱测试系统采用 X 射线作为激发源,将 X 射线激发模块集成于 EM9001 稳态/瞬态荧光光谱系统内部,可实现材料在 X 射线激发下的光致发光及闪烁转换性能表征。 系统可根据不同测试需求,构建 X 射线光致发光测试 与 X 射线闪烁材料光谱与成像特性 两套测试系统,实现对不同材料及器件的光谱与成像性能表征。
两大测试方向
01|光致发光
X射线激发材料产生光致发光,通过光谱检测获取材料的发光特性。

图 1 X 射线光致发光测试装置
02|闪烁材料光谱与成像
对闪烁材料进行 X 射线激发,并结合光谱与成像检测评价其发光及 X 射线转换成像性能。

图 2 X 射线闪烁材料光谱与成像测试装置
核心优势
w X射线激发一体化 | 激发模块内置于 EM9001 系统内部。 |
w 稳态/瞬态光谱检测 | 实现材料发光光谱检测。 |
w 光谱与成像兼容 | 支持闪烁材料光谱与成像测试。 |
w 多类型样品适用 | 支持粉末、液体、薄膜、块体及闪烁材料等多种样品。 |
w 灵活测试配置 | 可根据光致发光、闪烁材料光谱及成像等测试需求,灵活配置相应测试单元。 |
w 辐射安全防护 | 集成辐射防护与安全联锁。 |
01 | X 射线光致发光测试
X射线光致发光装置通过将X射线激发模块内置于EM9001中,可用于研究材料在X射线辐照下的紫外、可见及近红外发光性能。采用顶端X射线辐照、样品平躺的测试方式,便于样品装取及批量测试,适用于粉末、液体、块体及组织切片等多种样品。
测试流程:

可获取信息:
发射光谱:获取材料在 X 射线激发下的光谱分布。
发射峰位置:分析特征发射峰及其波长位置。
发光强度:比较不同样品或测试条件下的发光响应。
光谱形状:分析发射带宽、峰形及光谱变化。
适用材料 :
稀土发光材料 · 闪烁材料 · 半导体材料 · 纳米发光材料 · 陶瓷及无机功能材料 · 光电功能材料
拓展功能 :
变温光谱测试:可配合变温台实现材料不同温度条件下的光谱测试。
外接光源光谱测试:可配合外接光源开展上转换/下转换光谱测试。
技术参数:
参数 | 指标 |
X射线管型号 | TUB00154-91-W06 |
靶材 | W(钨) |
最大管电压 | 70 kV |
最大功率 | 12 W |
管电流 | 10–240 μA(成像)/ 10–300 μA(XRF) |
典型焦点尺寸 | 500 μm |
窗口 | Be,250 μm |
冷却方式 | 风冷 |
管体 | 金属陶瓷 |
透光/测试波段 | 200–2000 nm |
X射线泄漏 | ≤1 μSv/h @ 30 cm |
典型测试结果:

图3 375nm&X-ray诱导变温发光(100-300K)

图4 X-ray诱导热释光(100-800K)
02 | X射线闪烁材料光谱与成像测试
X射线闪烁材料光谱与成像测试模块内置于EM9001中,用于闪烁材料及器件的X射线成像能力检测,可结合光谱与多光谱成像,对材料的X射线诱导发光及转换成像性能进行表征。
测试流程:

光谱特性: 发射光谱 发射峰位置 发光强度 光谱分布
成像性能: X 射线透射成像 空间分辨率 图像清晰度 均匀性 MTF 成像器件原位效果对比 多光谱成像
适用对象: 闪烁晶体 · 闪烁陶瓷 · 聚合物闪烁膜 · 闪烁屏 · X射线转换材料 · X射线成像器件
技术参数:
参数 | 指标 |
像素 | ≥800万 |
最大帧率 | ≥15 FPS |
TE制冷 | ≤−15 ℃ @ 20 ℃ |
成像幅面 | ≥40 mm |
成像波段 | 400–1000 nm |
滤光片 | U / R / G / B / W / NIR / T |
极限分辨率 | ≥30 LP/mm |
防辐射噪点 | 全幅无显著辐照噪点 |
X射线泄漏 | ≤1 μSv/h @ 30 cm |
典型测试结果:

图5 375nm&X-ray诱导变温发光(100-300K)

图6 X-ray诱导热释光(100-800K)
安全防护
管电压、管电流可调,满足不同 X 射线激发条件下的测试需求。
高压绝缘与风扇防护设计,保障设备运行安全。
集成辐射泄漏联锁、报警及紧急断电接口,提升系统安全防护能力。
辐射防护符合 GBZ115-2023,X 射线泄漏≤1 μSv/h @ 30 cm